SiC作为被寄予厚望的电动汽车、第五代通信系统（5G）等应用的不可或缺的材料，有预测指出，在2023年超过100亿美元（约人民币708亿元）的功率半导体市场中，SiC占20亿美元（约人民币141.6亿元）”.也有预测指出，在未来2-3年内，8英寸（直径200mm）SiC晶圆将会“登场”，如果真的可以实现，现存的半导体工厂的量产将会更加容易，投资可能会更加活跃。
老大哥Cree（科锐）的产能扩大30倍！
美国Cree（科锐）公布说，将要在被称为“North Fab”的新工厂投资4.5亿美元（约人民币31.86亿元），增产SiC和GaN Device。同时筹备符合车载认定要求的生产产线，预计在2020年开始生产。预计届时6英寸（直径150mm）的SiC晶圆产能将提高18倍（按晶圆面积计算），到2024年8英寸将会实现量产，产能将进一步提高。他们对位于北卡罗莱纳州的达勒姆总部的园区内的现有工厂投资4.5亿美元（约人民币31.86亿元），作为其SiC晶圆的第一个“Mega 墓地情降靠谱吗Factory”，以增加SiC晶圆的产能。至于剩下的1亿美金（约人民币7.08亿元），公司对其他相关业务进行扩大投资。
Cree（科锐）明确表示，公司将要在纽约州的Marcy建设上文中提到的“North Fab”，并计划通过8英寸SiC晶圆来量产功率半导体和RF Device，按照最初的计划，符合车载认定标准的产线将在2022年开始启动生产。
并且狂签供给合约...
Cree（科锐）扩大的SiC产能除了用来生产自己公司的SiC & GaN Device之外，他们还与其他半导体厂商签订了持续数年之久的SiC晶圆的长期供给合约。具体明细如下：
与美国ON Semiconductor（安森美）签订了8,500多万美元（约人民币6.0亿元）的合约（6英寸）、与意大利的ST Microelectronics（意法半导体）签订了2.2亿美元（约人民币15.6亿元）的合约（6英寸）、与德国的英飞凌也签订了关于6英寸的合约，同时还与另一家非公开的企业签订合约。
此外，Cree（科锐）在5月份还被大众（VW）集团选定为SiC合作伙伴，公司不仅为VW供应SiC 元件，他们9月份还与美国大型Tier 1德尔福（Delphi）公司签订了自2022年起供应用用于800V 变频器（Inverter）的SiC-MOSFET的协议，同时也有其他汽车零部件相关厂商不断向Cree（科锐）进行咨询。
除了老大哥，其他的也没闲着。
SK、意法半导体收购SiC厂家
关于SiC晶圆的供应商，除了Cree（科锐），还有美国的II-IV（Two Six）、美国Dow（陶氏集团）、罗姆旗下的德国Si Crystal等，中国的新兴厂商也在逐步增多，据海外部某生产设备主管透露说，“不仅仅是Cree（科锐），所有的厂商都在积极推进增产”。
9月份，硅晶圆厂商（Silicon Wafer Maker）韩国SK Siltron以4.5亿美元（约人民币31.86亿元）的价格从杜邦的子公司DuPont Electronics＆Imaging（E＆I）中收购了化合物解决方案（CSS）事业部，由于需要相关机关的批准，这单收购预计在2019年年末完成。杜邦表示，“CSS事业部有生产硅晶圆的最尖端技术，公司也在为电力电子元件（Power Electronics）市场供货，但这并不是E&I的战略性的优先事项。考虑到以上，我们认为SK Siltron是比较好的拥有者”!外界普遍认为，SK Siltron在继硅晶圆之后，又在巩固在SiC晶圆方面的地位，同时为应对贸易战争、力图实现国产化。
此外，关于SiC晶圆方面，6月份GT Advanced Technologies（GTAT）与台湾大型硅晶圆厂商GWC（环球晶圆）进行合作，缔结了长期供给GTAT产的6英寸SiC晶圆、GWC进行销售的合约。
同时，在SiC晶圆上沉积高品质的SiC薄膜的SiC 外延片相关的活动也很活跃，特别是日本厂商尤其活跃。住友电工在2017年开始量产了高质量的Epitaxial Wafer（外延晶圆）“EpiEra”，提供的尺寸包括4英寸和6英寸。昭和电工也在提升产能。
罗姆和住友电工也在增产
SiC元件厂商方面，把SiC晶圆厂商Si Crystal并入旗下的罗姆也在扩大生产。罗姆对其子公司“罗姆·阿波罗筑后工厂”投资200多亿日元（约人民币13.4亿元），罗姆已经有把SiC功率半导体搭载到电动汽车方面的经验，公司SiC功率半导体也畏惧全球TOP3以内。
此外，在采用了SiC晶圆的GaN on SiC RF Device方面，住友电工集团旗下的住友电工Device Innovation（SEDI）正在增产用于5G的GaN 晶体管（Transistor）。
为了对应以上情况，住友电工Device Innovation（SEDI）正在扩大山梨事业所的4英寸的产线，如果把2017年的GaN 晶体管（Transistor）的产量看做1的话，2020年的生产将会是10，而且这一计划正在被苦熬苏推进。公司还在2018年10月与SiC晶圆厂商之一的美国II-IV（Two Six）缔结战略性合约，双方合作在美国II-IV（Two Six）的新泽西工厂设置6英寸的GaN专用的量产产线。计划在2021年开始量产，届时作为GaN Device的基础元素的SiC晶圆的需求应该也会增加。
外延设备也有布局......
作为独树一帜的大型设备厂商 ，德国Aixtron在今年9情降有哪些步骤 月宣布开始销售其SiC Epitaxial生成设备的新机型--“AIX G5 WW C”。
据报道，这款产品已经收到了好几家客户的订单。关于这款新设备，可以同时处理8个6英寸的晶圆，与以往机器相比，处理能力提高了2倍。爱思强的这个操作就是力求通过投入新设备，来扩大市场比例。除了Aixtron（爱思强）之外，东京电子、NuFlare Technology, Inc.、意大利的LPE等也都是相关设备供应商，LPE最近也决定开始进军日本市场。
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