中国有光刻机技术吗?
中国有了自己的光刻机，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。这是世界上第一台利用紫外光实现22nm分辨率的超分辨率光刻设备，为纳米光学加工提供了全新的解决方案。在光电所的努力下，我国的RD光刻机跳出了通过减小波长、增加数值孔径来提高分辨率的老路，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了全新的技术，也为超分辨率光刻设备提供了理论基础。扩展信息:利用超分辨率光刻设备，项目组为航天科技集团第八研究院、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西第二医院、重庆大学等单位制备了一系列纳米功能器件。包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射装置、生化传感器芯片、超表面成像装置等。验证了超分辨光刻设备纳米功能器件加工能力，达到了实用化水平。
中国有多少光刻机
中国有两百台光刻机。有文章说中国有二百台光刻机，其中一百台在无锡。光刻机是制造芯片的核心设备，这些报道从侧面说明无锡在半导体行业的地位。
中国光刻机处于什么水平
1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术？
官网显示，目前最先进的光刻机是600系列，光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm。然而，与荷兰ASML公司拥有的EUv%掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺制作的芯片即将上市。不过根据相关信息，预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和ASML的Euv光刻机差距还很大，虽然起步晚，但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。
第二，国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况？
答案是否定的，要知道华为缺芯是美国的阻碍，国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然ASML也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机，但是没有任何零件可以避开美国的核心技术，所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。
做一个优秀的光刻机，要做很多艰苦的工作，不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平，还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远！这些精密仪器的背后，也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累，也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难，不再受其他国家的限制。
中国光刻机公司排名
光刻机国产排名第一的是上海微电子。
目前全球只有四家能够制造光刻机的公司，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。这里说的光刻机指的是euv/duv浸润式光刻机。所以说，国内仅有一家能够制造光刻机的公司，既上海微电子，所以上海微电子排名第一。
上海微电子公司简介：
上海微电子是半导体行业的上市公司，公司坐落于张江高科技园区。
公司成立于2002年，主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发，生产销售与服务，IC制造与先进封装，MEMS ，TSV/3D，TFT -OLED等制造领域。
公司致力于以极致服务，造高端产品，创卓越价值，全天候，全方位，全身心地为顾客提供优质产品和技术支持与服务。
中国光刻机现在多少纳米？
中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。
这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。
中国光刻机和荷兰光刻机差距
中国的光刻技术和荷兰 ASML 的 EUV 光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。
1、紫外光源的不同
中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰 ASML 的 EUV 采用13.5nm极紫外光源。光刻是制程芯片最关键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核心是光源，光源的波长决定了光刻技术的工艺能力。
我国光刻技术采用193nm波长的深紫外光 p 源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到 ArF 的193nm。它可实现最高工艺节点65nm，如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高分辨率采取 NA 相移掩模技术还可推进到28nm。
到了28nm以后，由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形。
荷兰 ASML 的 EUV 光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光源。
极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。
当今的 ASML 的 EUV 光刻技术，已能用
13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此。虽然我们采用 DUV 光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别。
2、光源能量控制不同
在光刻技术的光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的 EUV 也有重大区别。光刻技术的光学系统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度。
光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关系。在光源波长不变情况下， NA 数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。我国在精密加工透镜技术上无法与 ASML 用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高。
套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度。如果对准偏差、图形就产生误差，产品良率就小。
所以需不断调整透镜曝光补偿参数和光源计量进行控制，达到满意的光刻效果。我国除缺少精密加工透镜的技术外，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。
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