我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破?
碳基芯片现在还是停留在实验室阶段，想要完全商用最起码要二十年以上，这就注定了它和现在主流的硅基芯片没有任何的竞争力。同理就算中科院的论文讲的是5nm光刻机技术，想要完全实现商用不知道还要多久。
我国光刻机企业基本突破高端光刻机技术并推出将很快下线的高端光刻机产品，会在未来的八年十年那时，在此之前的二三年里，美国和荷兰就会解除对高端光刻机产品的封锁。
中国人做光刻机是要做好整体生态打通产业链。
如果我们想要绕过现有的光刻机技术走出一条自研道路，那么需要的时间可能更久。从目前的形势上看，我们的光刻机如果想追上现在国际一流水准的话最起码都要十年以上，想要完成赶超更是天方夜谈。
中国何时能造出来自己的光刻机?
1、现在世界上顶级的设备毋庸置疑就是ASML的5纳米光刻机。这台机器如果一一拆分开来的话可以装进大约40个集装箱之中，超过100000万个零件的总数量在机器领域绝对算得上是庞然大物。
2、1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
3、中国光刻机领域传来了好消息。那就是我国的封装光刻机巨头长电科技获得了全球前三的好成绩，上半年营收达到了1593亿元人民币。
5nm激光光刻技术,是否预示着我们即将能取代ASML?
但光刻机的研制，据我所知，至少在精密光学与机械加工这方面，没有已知的理论瓶颈，而且我国的工业基础还不错。瓶颈反而在光刻部分，也就是说光刻机造出来，和光刻机好用完全是两回事。
目前我国实验室最先进的光刻机为22nm，而asml的光刻机已经达到5nm量产的水平。因此，目前我国光刻机水平无法动摇其地位。若日后我国光刻技术突破，而asml仍旧无法找到更先进制程的方法，那么将会威胁其发展。
更重要的是，中科院再立大功，成功实现了5纳米光刻机关键技术的攻克，这是一条和ASML公司完全不同的新型技术线路，5纳米高精度激光光刻机的研发，是利用三层叠堆薄膜结构，再通过双激光束交叠实现的。
就目前而言，中国虽然有最聪明勤奋的科学研究工作者，也还没有攻克5毫米的光刻机技术。
就是最近我们国家的中科院在5纳米激光光刻的技术上面有了成功的突破，不过这个消息出来以后，有的媒体对这件事情解读就太过于荒诞了，在这里有必要要说清楚一些情况。
中国已有5纳米刻蚀机为什么还怕美国制裁
你可以说我跪的太久了站不起来，在真正变强大之前，低调是种最好的选择。自媒体的东西少看，一些自媒体把这事说成了中国5纳米光刻机已经突破，列害了我的中国芯片。。
中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。
当中国中微公司宣布已经掌握5nm刻蚀机技术并领先全球的时候，有不少国内自媒体再次站出来，义正言辞地宣布中国的芯片制造业已经领先全球，不惧美国、荷兰、德国、日本等高科技国家。
中微半导体成立的第11年，中微半导体再次自研出首台最先进的5nm刻蚀机，自此，中国的5nm蚀刻机在全球确立了5nm刻蚀机技术的地位领先。
优势很明显。这样美国也可以限制这些使用美国设备的芯片代工厂不给华为生产芯片，这样华为设计出了芯片，也找不到生产厂商了。虽然华为麒麟芯片是自研的，但和美国却有着很大的关系，一旦美国一打压，就陷入困境的原因。
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